重要技術の移転管理のため、外為法に基づく事前報告制度を設け、官民対話で信頼関係を構築し、技術流出の懸念を払拭する。

官民対話による技術管理スキームにおける対象技術の追加 技術は、貨物 に比して、一度移転すれば、管理の難易度が高くなる。また、移転後の時間的経過とともに主体や用途 が変化し、当初想定できないような軍事転用に繋がる懸念がある。 このため、安全保障上の観点から管理を強化すべき重要技術の移転に際して、外為法に基づく事前報告制度を設け、 これを端緒として官民が確実に對話する。 技術移転を止めることが目的では

経済安全保障推進法に基づき、先端電子部品等の国内生産能力強化のため、計3件の安定供給確保計画を認定。

経済安全保障推進法に基づく先端電子部品サプライチェーンの強靭化 経済安全保障推進法に基づき、2024年2月に特定重要物資として先端電子部品（コンデンサー及びろ波 器）を指定。先端電子部品及びこれらのサプライチェーンを構成する製造装置・部素材の製造能力の強 化等を図ることで、各種電子部品の国内生産能力を維持・強化。 先端電子部品のサプライチェーン強靭化支援事業として、令和5・6年度補正予算で約221

半導体・デジタル産業戦略の実施状況について、情報処理分野、高度情報通信インフラ分野、半導体分野、その他の項目を列挙。

1. 半導体・デジタル産業戦略の実施状況 (1) 情報処理分野 (2) 高度情報通信インフラ分野 (3) 半導体分野 (4) その他 79

中国は2025年2月と4月に特定物資の輸出管理を強化する。

中国による特定物資に関する輸出管理について 中国商務部等は、2025年2月4日、タングステン、テルル、ビスマス、モリブデン、インジ ウム関連の品目に対する輸出管理の決定を発表。 また中国商務部等は、同年4月4日、レアアース (希土類)のうち、中レアアース又は重レア アースに分類される鉱物であるサマリウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、 ルテチウム、スキャンジウム、イットリウム関連の品目

先端半導体の供給を海外に依存する我が国は、台湾等からの供給途絶で甚大な経済的損失を被るリスクがある。

半導体を巡る地政学リスク ● 我が国は、先端半導体を中心に、半導体の供給を海外に依存。台湾等からの供給が途絶した 場合、我が国における経済的損失は甚大。 ● 非先端領域についても、諸外国・地域が供給能力を急拡大しており、経済安全保障の観点か ら、国内供給能力の強化が必要。 ロジックI.C.のノード別生産能力比率 (200mmウエハ換算) 5nm未満 米国, 12% 欧州, 5% 台湾, 61% 韓

日印は半導体サプライチェーンの強靭化に向け、政策対話や人材育成、政府・企業間協力を強化する。

日印間の半導体協力 インドは近年、半導体産業の国内立地を推進しているが、市場としての広がりはもちろん、半導体の設計等の分野で多くの優秀な人材を有しており、日本をはじめ世界の半導体産業からの関心が極めて高い。「日印半導体サプライチェーンパートナーシップ」概要（2023年7月20日） 日印デジタルパートナーシップ及び日印産業競争力パートナーシップに準拠し、電子機器分野での協力の拡大・深化に向けて、本パ

日・オランダ首脳会談で、半導体エコシステム協力強化を確認。

日・オランダ首脳会談 2025年4月、日・オランダ首脳会談を実施。合わせて公表した日・オランダ・アクション・プラン2025において、「半導体エコシステムにおける協力の強化」を確認。 日・オランダアクションプラン2025（仮訳抜粋） Ⅱ.経済協力の拡大 b.科学、技術及びイノベーション ハイテク主要基盤技術等の共通の関心のある研究・イノベーション分野を特定するための関連機関間の対話の奨励 半導体エコ

日蘭両国は半導体協力に向けたワーキンググループ会合や官民ミッションを通じて連携を強化している。

日蘭間の半導体協力 • 2022年10月、今後の日蘭半導体協力の具体化に向けたワーキンググループ(WG) 第1回会合を実施。 その後、同年11月に第2回会合、2023年1月に第3回会合、2023年3月に第4回会合を開催し、日蘭 政府等による取組の詳細や今後の協力について意見交換を行った。 • 2023年6月にオランダ半導体官民ミッションの来日機会を捉え、今後の共同研究開発に向けた協力 MOCに署名

日英両国は、半導体分野での協力促進に向けたパートナーシップを創設し、共同研究開発やサプライチェーン強化を目指す。

日英間の半導体協力• 2023年5月、日英首脳会談で合意された「広島アコード」において、半導体パートナーシップの創設とそれに基づく共同研究開発やサプライチェーン強化に向けた連携について明記。• 同日、経済産業省と英国科学・イノベーション・技術省(DSIT)との間で、半導体分野での協力促進に向けた半導体パートナーシップに合意。• 半導体官民ワークショップ(2024年3月)、英国の半導体関連スタートア

日EUは半導体協力MOCに合意し、早期警戒メカニズムや共同研究開発等を進める。

日・EU間の半導体協力 2023年7月、第1回日EUデジタルパートナーシップ閣僚級会合のタイミングで、西村大臣とEUブルトン統一市場担当委員との間で半導体協力MOCに合意。併せて付属書として早期警戒メカニズムに関す る文書にも合意。第29回日・EU定期首脳会議における共同声明において、日EUの協力案件に関する具 体的なステップとして半導体協力MOCについて記載。 2024年5月、公的支援透明性メカ

日米首脳会談で先端半導体等の協力やサプライチェーン強化を議論。経済関係強化、投資・雇用増、技術開発協力、自由で公正な経済秩序の追求を確認。

日米首脳会談 2025年2月7日、日米首脳会談を実施し、先端半導体といった重要技術開発における協力や、サプライチェーンの強靭性の強化のため、政策を整合させるための議論の継続を確認。 日米首脳会談（共同声明仮訳抜粋） 経済関係の強化に向けた揺るぎない進路を示し、この経済パートナーシップを新たな次元に引き上げるため、両首脳は、二国間のビジネス機会の促進並びに二国間の投資及び雇用の大幅な増加、産業基盤の

半導体国際協力に関するG7、IPEF、QUAD、日米比の近況をまとめたスライド。

半導体国際協力に関する主な近況（多国間） G7 産業・技術・デジタル大臣会合 閣僚宣言 （2024年3月） IPEF IPEFサプライチェーン協定 （2024年2月） QUAD QUAD首脳共同声明 （2024年9月） 日米比 日米比首脳会合ビジョンステートメント （2024年4月） G7メンバー間の情報交換を促進し、ベストプラクティスを共有することを目的とした半導体コンタクト （PoC）グループ

日米、EU、英国、オランダ、インドとの半導体協力の進捗状況をまとめた表。

半導体国際協力に関する主な近況 ✓ 以下の基本原則に沿って、二国間の半導体サプライチェーンの協力を行う 1. オープンな市場、透明性、自由貿易を基本とし、 2. 日米及び同盟・地域でサプライチェーン強靭化を強化するという目的を共有し、 3. 双方に認め合い、補完し合う形で行う ✓ 特に、半導体製造能力の強化、労働力開発促進、透明性向上、半導体不足に対する緊急時対応の協調及び研究 開発協力の強化につ

半導体事業の支援決定・進捗管理プロセスを厳格化し、計画の妥当性・進捗状況を確認する。

半導体事業の支援決定及び進捗管理等のプロセスの厳格化 AI・半導体産業基盤強化フレームを通じた複数年度にわたる計画的・戦略的な支援の実施に当たっては、フレーム全体として効果的な支援を図るとともに、個別案件に対する支援の妥当性や進捗管理、計画の見直しの必要性について も、より厳密に確認することの重要性が高まっている。 こうした背景から、フレーム全体については、今後１０年間で５０兆円超の官民投資を引き

EBPMプロセス強化とアクションプラン策定による政策効果の最大化を目指す。

EBPM強化に向けた取り組み ・政府は、経済・財政一体改革の着実な推進に向けて、主要分野の多年度にわたる重要政策及び計画について、エビデンスに基づくロジックモデルの検証やKPIの進捗確認等を行い、その成果を政策立案や骨太方針に反映するなど、EBPM (※) プロセスの強化を図っている。 ・半導体政策についても、有識者の意見も聴取しながら、産業競争力の強化、経済安全保障の確保といった政策目標の実現に

先端半導体製造拠点整備の経済効果をEBPMで分析。産業連関分析、CGEモデル等でGDPや雇用効果を試算。

(参考) 先端半導体の製造拠点整備に係るEBPM取組施策 これまでも、5G促進法に基づいて、経済産業大臣による認定を行った2つの事業について、EBPMプロジェクトとして、経済面から評価を行う経済効果分析を実施。具体的には、①直接評価モデル、②産業連関分析、③CGEモデルの三つのモデルで分析。 産業連関分析におけるGDPへの正の影響は約4.2兆円と試算。また、結果が保守的に出る傾向にあるCGEモデル

PFAS規制に対応するため、自主的な取り組みや代替技術開発を進めている。

PFASへの対応 PFASのうち、PFOS・PFOA・PFHxSは、「化学物質の審査及び製造等の規制に関する法律」により使用が禁止されてい るため、半導体工場においても使用されることはない。 飲み水を 経由した健康リスクを低減する観点では、PFOS及びPFOAについて、水道事業者等に対して水質検査及び基 準遵守等を新たに義務付ける水道法に基づく省令改正の手続きが関係省庁において進められているところ

半導体等のインフラ整備支援のため、R5・R6補正予算で交付金が創設・活用され、合計89.5億円が配分決定された。

半導体等の大規模生産拠点に必要なインフラ整備 ● 内閣府において、半導体等の戦略分野に関する国家プロジェクトの産業拠点整備等に必要となる関連インフラの整備を支援するため、R5年度補正予算で「地域産業構造転換インフラ整備推進交付金」を創設。 ● R6年度補正予算においても、当該交付金を活用して引き続きインフラ整備を支援するため、所要額を計上（新しい地方経済・生活環境創生交付金(1,000億円)の内数

高度設計人材育成プログラムとして、RISC-VコースとAIアクセラレータコースの受講者を募集します。

高度設計人材育成（上級コース）の受講者募集開始について 高度な半導体設計ができる次世代のエンジニア、アーキテクトの養成に向けて、高度設計人材育成プログラムを開始。 2025年5月より募集を開始した上級コースでは、日本での事前トレーニング実施後、米国のTenstorrent USA Inc.におけるOJTを通して、一流エンジニアの指導の下でシングルナノ半導体やAIアクセラレータ開発などを行う。 AD

LSTCとTenstorrrent社が連携し、高度設計人材育成プロジェクトを実施。2024年11月よりOJT等で人材育成を開始。

設計人材育成 ● 2024年11月、高度設計人材育成を実施するためのプロジェクトとして、LSTC及びTenstorrrent社が連携 してOJT等により人材育成を実施する事業を採用。 □ 上級: 最先端半導体設計をしている現場に参加して最先端半導体の設計技術を習得し、アーキテクトを育てる コース。本経験を活かし、日本のAI・半導体産業を牽引するリーダーとして成長することを期待 □ 中級: 半導体設