経済産業省 — 半導体・デジタル産業戦略の現状と今後（第13回） p.133

キーファクト

• 化合物半導体は自動車用パワー半導体だけでなく通信・レーダー等の社会インフラでも重要な役割を果たす (半導体)
• 試作コスト低減と開発・事業化のため、化合物半導体の試作評価拠点の整備を検討する (半導体)
• 国内の化合物半導体技術の維持および高度化に向けた技術開発を継続する (半導体)
• 基板製造から半導体チップ製造、モジュール化までの一体的な産業基盤強化を検討する (半導体)

このスライドの図表

• [concept_diagram] 半導体種別ごとの性能と用途を示す概念図。横軸に周波数（GHz）、縦軸に出力電力（W）を取り、SiC, Si, GaN, GaAs, SiGe, InPといった半導体材料の適用範囲を、それぞれの性能特性と用途（通信・レーダー等）に合わせて色分けされた領域で示している。

抽出テキスト

化合物半導体に関する今後の検討の方向性・化合物半導体は、自動車等に用いられるパワー半導体だけではなく、通信・レーダー等の社会インフラに関わるシステムにおいて重要な役割を果たしている。日本の経済成長・経済安全保障の観点から、ニッチで市場原理だけではままらないユースケースに対しても、国内に化合物半導体に関する技術を維持し続けるとともに、高度化に向けた技術開発を継続していくことが重要。・通信・レーダー等に用いられる化合物半導体について、国内産業の需要動向と化合物分野の国際競争力に関するポテンシャルも見極めながら、基板の製造から半導体チップの製造、通信基地局等に組み込むためのモジュール化までを一体とした産業基盤強化に向けた検討を進める。その際、例えば、我が国全体の化合物半導体の競争力強化に向け、試作コストの低減を通じた開発・事業化を進めるため、化合物半導体の試作評価拠点の整備に向けた検討も進める。<半導体種別の性能と用途（イメージ）> 出力電力（W） 小 周波数（GHz） 大 SiC Si GaN GaAs SiGe InP 大 133 出所：各種資料をもとに経済産業省作成