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3件のスライド — NAND
半導体の微細化技術の進展と、DRAM・NANDメモリの世代別ロードマップを示す。
経産経済産業省2025年12月
半導体ロードマップ ① 半導体・デジタル産業を取り巻く情勢 エッジAI 通信 DC スマホ エッジAI 通信 DC スマホ 2nm半導体 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 1.4nm半導体 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2nm 1.4nm 1.
生成AI等の需要増に対応するため、DRAM・NANDメモリの広帯域化投資を進め、国内産業の高度化を目指す。
経産経済産業省2025年5月
先端メモリに関する今後の方向性① 生成AI等の利活用拡大を踏まえたメモリ半導体の需要増の対応に向けて、DRAM・NANDメモリにおけるさらなる広帯域化に対応した投資拡大を進めていく。 その際、国内メモリ産業の高度化や地域経済への波及効果といった点も精査していく。 DRAMの需要見通し（世界） DRAM Global Demand 500,000 450,000 400,000 350,000 30
先端半導体の製造基盤整備のため、5G促進法等改正と支援により、計約2.2兆円を計上。ロジック・メモリ半導体の安定生産が進展。
経産経済産業省2025年5月
先端半導体の製造基盤確保① 先端半導体の製造基盤整備への投資判断を後押しすべく、5G促進法およびNEDO法を改正し、令和4年 3月1日に施行。同法に基づく支援のため、これまで計約2.2兆円を計上してきたところ。（令和3年度補正予 算で6,170億円、令和4年度補正予算で4,500億円、令和5年度補正予算で6,322億円、令和6年度補正予算で4,714億円） 先端半導体の生産施設の整備・生産を行う計
