経済産業省 — 半導体・デジタル産業戦略の今後の方向性（第14回） p.24
半導体の微細化技術の進展と、DRAM・NANDメモリの世代別ロードマップを示す。
タグ: 半導体, ロードマップ, 微細化技術, DRAM, NAND, メモリ
キーファクト
- 0.35nm: 2035年時点の半導体微細化技術の到達目標は0.35nmである (半導体)
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- [area_chart] 半導体の微細化技術と各用途における市場規模の推移を示す面グラフ
抽出テキスト
半導体ロードマップ ① 半導体・デジタル産業を取り巻く情勢 エッジAI 通信 DC スマホ エッジAI 通信 DC スマホ 2nm半導体 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 1.4nm半導体 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 2nm 1.4nm 1.0nm 0.7nm 0.5nm 0.35nm 半導体の世代 微細化 技術 Gate All Around (GAA) Complementally FET (CFET) DRAM DRAM HBM 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 NAND モバイル用 DC用 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 ① 次世代HBM ・微細化、高積層化 ・革新メモリ技術 ② 次世代DRAM ・微細化 ・3次元化 ③ 次世代メモリ ・不揮発性 ・高速読み書き ④ 次世代NAND ・高積層化、高信頼性 ・高速転送速度 24
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経産経済産業省2025年12月
半導体・デジタル産業戦略の今後の方向性（第14回）p.24/25
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半導体の微細化技術と各用途における市場規模の推移を示す面グラフ
半導体微細化技術DRAMNAND