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2件のスライド — 先端メモリ
AI普及とエッジ領域の要求に応えるため、SCMやPiM等の次世代メモリ開発を進める。
経産経済産業省2025年5月
先端メモリに関する今後の方向性② 生成AIの普及等によるメモリアクセス回数の増加や、エッジ領域でのさらなる低消費電力の要求を受け て、より高効率な情報処理に貢献する新たなメモリの開発に取り組む。 具体的には、DRAM・NANDの中間的な性質を持つSCM : Storage class memory、非ノイマン型 への対応として、最先端のエッジ端末向けに低消費電力でAI処理を実行可能なPiM : P
生成AI等の需要増に対応するため、DRAM・NANDメモリの広帯域化投資を進め、国内産業の高度化を目指す。
経産経済産業省2025年5月
先端メモリに関する今後の方向性① 生成AI等の利活用拡大を踏まえたメモリ半導体の需要増の対応に向けて、DRAM・NANDメモリにおけるさらなる広帯域化に対応した投資拡大を進めていく。 その際、国内メモリ産業の高度化や地域経済への波及効果といった点も精査していく。 DRAMの需要見通し（世界） DRAM Global Demand 500,000 450,000 400,000 350,000 30
