AI普及とエッジ領域の要求に応えるため、SCMやPiM等の次世代メモリ開発を進める。
タグ: 先端メモリ, AI, エッジコンピューティング, SCM, PiM, 次世代メモリ
先端メモリに関する今後の方向性② 生成AIの普及等によるメモリアクセス回数の増加や、エッジ領域でのさらなる低消費電力の要求を受け て、より高効率な情報処理に貢献する新たなメモリの開発に取り組む。 具体的には、DRAM・NANDの中間的な性質を持つSCM : Storage class memory、非ノイマン型 への対応として、最先端のエッジ端末向けに低消費電力でAI処理を実行可能なPiM : Processing in Memory等の次世代メモリの開発を進めていく。 次世代メモリの概要 Storage class memory(SCM) DRAMとNANDの中間的な性質を持つ メモリ階層の拡張(DRAMとNANDの 間)による効率的なメモリアクセスによって、 コンピューティングシステムとしての省電力 化に貢献 DRAM 速い 小 要(揮発性) NAND 遅い 大 不要(不揮発性) 容量 小 大 速度 速 遅 CPU DRAM Memory Expansion SSD HDD Processing in Memory (PiM) 一般的なDRAMの中に情報処理機能を付加することで簡単な 演算をDRAM内部で実施することで省エネ・高速化を実現 Bank Bank Bank Bank Peripheral Bank Bank Bank Bank Processor Peripheral Processor Bank Bank Bank Bank 128