経済産業省 — 半導体・デジタル産業戦略の現状と今後（第13回） p.58

キーファクト

• LSTCにおけるBeyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発 (半導体)

このスライドの図表

• [flow_diagram] Beyond 2nm向けデバイス・材料・プロセス要素技術開発とBeyond 2nm向け短TAT・クリーンプロセス装置技術開発のフロー図

抽出テキスト

LSTCにおけるBeyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発 LSTCより 提供 概要 2nm世代よりもさらに高性能な半導体(Beyond 2nm)実現に向けた革新的技術として、Beyond 2nm向けデバイス・材料・プロセス要素技 術および短TAT・クリーンプロセス装置技術を開発する。 当該技術の開発により、半導体の高性能化のみならず、長期化する半導体製造期間の短縮および早期に製品の市場投入を可能とし、我が 国の半導体製造の競争力強化および半導体市場シェア挽回に大きく寄与する。半導体の更なる進化によるAI性能の飛躍的な向上と、短TAT 化で、より多くの社会的ニーズへの対応を可能にし、社会課題解決とDX化推進に貢献する。 Beyond 2nm向けデバイス・材料・プロセス要素技術開発 Beyond 2nm向け短TAT・クリーンプロセス装置技術開発 Gate-All-Around FET (GAA-FET) Complementary FET (CFET) 省資源化 歩留向上 n/pFET p/nFET n/pFET n/pFET 短TAT化 成膜 リソグラフィ 加工 洗浄・クリーン化 事業項目 半導体製造プロセス 1.0nm以細まで適用 可能な新規ゲートスタッ ク技術開発 高信頼・高性能新配線 材料技術開発 GAA-FETの高性能化 を可能とするエピ成長技 術開発 GAA-FET製造時間のボトル ネックとなるALD/CVDプロセ スの短TAT化技術開発 GAA-FET製造歩留りを向上 する液中超微細汚染物質検 出技術開発 国際連携: CEA-Leti imec 国際連携: AMAT 58