政策スライド・ファクト横断検索

25省庁が公表した政策スライドとファクトを横断検索できます。キーワード検索に加え、AI（Gemini Embedding）によるセマンティック検索に対応。省庁別、政策ドメイン別のフィルタリングで、必要な情報にすばやくアクセスできます。

1件のスライド — GAA-FET

Beyond 2nm半導体製造技術開発により、高性能化、市場投入期間短縮、AI性能向上、社会課題解決に貢献。

経産経済産業省2025年5月

LSTCにおけるBeyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発 LSTCより提供概要 2nm世代よりもさらに高性能な半導体(Beyond 2nm)実現に向けた革新的技術として、Beyond 2nm向けデバイス・材料・プロセス要素技術および短TAT・クリーンプロセス装置技術を開発する。当該技術の開発により、半導体の高性能化のみならず、長期化する半導体製造期間の短縮および早期に製品