日米首脳会談で先端半導体等の協力やサプライチェーン強化を議論。経済関係強化、投資・雇用増、技術開発協力、自由で公正な経済秩序の追求を確認。

日米首脳会談 2025年2月7日、日米首脳会談を実施し、先端半導体といった重要技術開発における協力や、サプライチェーンの強靭性の強化のため、政策を整合させるための議論の継続を確認。 日米首脳会談（共同声明仮訳抜粋） 経済関係の強化に向けた揺るぎない進路を示し、この経済パートナーシップを新たな次元に引き上げるため、両首脳は、二国間のビジネス機会の促進並びに二国間の投資及び雇用の大幅な増加、産業基盤の

先端半導体製造拠点整備の経済効果をEBPMで分析。産業連関分析、CGEモデル等でGDPや雇用効果を試算。

(参考) 先端半導体の製造拠点整備に係るEBPM取組施策 これまでも、5G促進法に基づいて、経済産業大臣による認定を行った2つの事業について、EBPMプロジェクトとして、経済面から評価を行う経済効果分析を実施。具体的には、①直接評価モデル、②産業連関分析、③CGEモデルの三つのモデルで分析。 産業連関分析におけるGDPへの正の影響は約4.2兆円と試算。また、結果が保守的に出る傾向にあるCGEモデル

先端半導体の製造基盤確保に向けた、関連事業者の認定時期、助成額、製品、生産能力等の概要比較。

先端半導体の製造基盤確保② 関連事業者 認定時期 最大助成額 場所 主要製品 生産能力 (※) 12インチ換算 初回出荷 計画の概要 製品納入先 設備投資額 ※生産費用は除く micron. 2023年10月 1,670億円 広島県東広島市 DRAM (1v世代) ※EUVを導入して生産 4万枚/月 2025年12月~2026年2月 自動車、医療機器、インフラ、 データセンター、5G、セキュリティ

先端半導体の製造基盤整備のため、5G促進法等改正と支援により、計約2.2兆円を計上。ロジック・メモリ半導体の安定生産が進展。

先端半導体の製造基盤確保① 先端半導体の製造基盤整備への投資判断を後押しすべく、5G促進法およびNEDO法を改正し、令和4年 3月1日に施行。同法に基づく支援のため、これまで計約2.2兆円を計上してきたところ。（令和3年度補正予 算で6,170億円、令和4年度補正予算で4,500億円、令和5年度補正予算で6,322億円、令和6年度補正予算で4,714億円） 先端半導体の生産施設の整備・生産を行う計