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経済産業省
実績半導体
概要
新たに開発された電界吸収型光変調集積レーザダイオードは200Gbpsのビットレートを達成している。データセンターや通信ネットワークの大容量化・高速化需要に応える光通信技術の先端的成果であり、半導体・光デバイス分野での技術競争力強化につながる。
出典スライド
スライドテキスト
ポスト5G基金事業による案件事例・令和6年12月~令和7年4月末までにポスト5G事業において、本研究6件の事業が終了。ポスト5Gシステムに不可欠な研究開発成果を生んでおり、今後も研究開発内容の事業化を目指し、引き続き支援を行っていく。実施者 三菱電機株式会社 富士通株式会社/日本電気株式会社(2社採択) ポスト5G情報通信システム向け200Gbps/入の大容量光 RAN制御高度化技術の開発 デバイスの研究開発 レーザ部 変調器部 出力光 200Gbps電界吸収型光変調器集積 レーザダイオード(EML) 概要 On/Off比 5.8dB 開発したEMLの226Gbps変調光波形 試作したEML搭載光モジュール ・光通信伝送容量の実現に向けて、1波長あたりのビットレート 200Gbpsの超高速電界吸収型光変調器集積レーザダイオー ド(EML)を開発 ・通信要件や無線品質の変動の検知してRANの最適制御を 実行する、AI/MLを利用した学習型通信分析・制御技術を 研究開発した 出所:NEDOホームページニュースリリース:https://www.nedo.go.jp/activities/ZZJP_100296.html 29