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経済産業省
実績参考半導体
概要
2021年5月、経済産業省は半導体分野におけるTSMCジャパン3DIC研究開発センターの採択を発表しました。これは日本の半導体産業の競争力強化に向けた重要な一歩です。
出典スライド
スライドテキスト
先端半導体後工程の技術開発 先端パッケージ技術は、チップ間配線及び配線間接合の微細化が今後の競争力の源泉であり、その実現には材料・装置・製造技術の一貫した技術開発が重要。 また、チップレット集積化は、チップ実装の自由度を高めることから、性能・電力 を最適化する設計技術も重要。 2024年4月に追加で採択したRapidusにより先端パッケージ技術開発の統合的な開発・量産を目指すとともに、我が国の材料・装置企業の競争力強化のために、TSMC、Samsung等とも連携したプロジェクトを並行して進める。 組立工程においては、高度な製造を安定的かつ効率的に実施するため完全自動化を実現することが必要。2024年11月にインテルや国内装置、部材メーカーが参加する半導体後工程自動化・標準化技術研究組合（SATAS）を採択。 メモリ on ロジック技術（3D実装） チップレット化技術 HBM メモリ HBM インターポーザ サブストレート 高密度実装技術 低コスト化・高性能化技術 Rapidus Rapidus （2024年4月2日採択公表） 先端パッケージの設計から製造技術に至るまで、北海道千歳市にパイロットラインを構築して量産・実用化を見据えて一貫して取り組む 米IBM、独Fraunhofer、星IMEと連携して進める 半導体後工程自動化・標準化技術研究組合（SATAS） intel （2024年11月6日採択公表） 組立・検査に着目し、完全自動化に必要な装置・システム間の標準インタフェース開発に取り組む 米インテル、国内の装置・部材メーカーが参画 TSMCジャパン3DIC 研究開発センター （2021年5月31日採択公表） 産総研（つくば）にパイロットラインを構築 我が国の材料・装置メーカーと連携して、技術開発に取り組む 日本サムスン SAMSUNG （2023年12月21日採択公表） みなとみらいにパイロットラインを構築 3.xDチップレット技術の実現に向けて国内の材料・装置メーカーと緊密に連携して開発を行う 53