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経済産業省
実績参考半導体
概要
経済産業省の発表によると、2019年時点でルネサス那珂工場の半導体製造における線幅は40nmでした。これは、半導体の微細化技術の進展を示す重要な指標です。
出典スライド
スライドテキスト
日本の凋落 - 日本の半導体工場の現状 - 世界のロジック半導体の生産能力については、デジタル化の進展に伴い、この10年間でTSMC・サムスン・インテルを中心に、スマホ・DC・5G等向けのハイエンド（線幅:5ナノ～16ナノ）が急増。併せて、自動車・産業機械・家電等向けのミドルエンド（線幅:20ナノ～40ナノ）についても中国市場向けを中心に増加。 我が国は世界第1位の半導体工場数を持つが、その多くは陳腐化・老朽化しており、ローエンドのレガシー工場が多数。 拠点数 世界の半導体工場数（前工程）の推移 レガシー半導体工場が多数 （国内の主なロジック半導体工場） 300 200 100 0 2001 2009 2019 JP America EU/Israel KR TW China/Other Asia ルネサス 熊本川尻工場 1969年～ 130nm タワーセミコンダクター & ヌヴォトン (旧:バナ) 魚津工場 1984年～ 45nm ジャパンセミコンダクター (旧東芝) 岩手工場 1984年～ 130nm 万枚/月 ロジック半導体の処理枚数推移 (日本・台湾) 250 200 150 100 50 0 日本 2009年 台湾 日本 2019年 台湾 ソニー 鹿児島TEC 1973年～ 90nm ルネサス 那珂工場 1985年～ 40nm UMC (旧富士通) 三重工場 1984年～ 40nm ジャパンセミコンダクター (旧東芝) 大分工場 1970年～ 90nm ハイエンド ミドルエンド ローエンド 出典: Omdia, 各社HPのデータを基に経済産業省作成 6