通信インフラの高度化に向け、コアデバイス、RF・実装統合、材料・供給の3領域における重点技術と、それらが実現する基盤技術を体系的に整理している。
タグ: 通信インフラ, 半導体, コアデバイス, 高周波技術, サプライチェーン, 実装技術
3 各領域における重点技術とその工程表 52 コア技術領域 2-2 素材・部品・デバイス領域 本領域は、通信の高周波化・広帯域化・低電力化・多アンテナ化が進む中で、システム性能と量産成立性の基盤となる物理レイヤを担う領域である。 そのため、性能・省電力の上限を決める(コアデバイス)/高周波・多バンドを量産可能にする(RF・実装統合)/品質・供給安定性を支える(材料・供給)技術を一体で提供することが求められ、保有アセットを活かして競争優位と自律性を確保する観点から重点化が必要。 技術の類型 主な技術(例) コアデバイス 通信性能・省電力・将来帯域の上限を左右する技術 無線SoC/ASIC 通信機能・制御・省電力処理を高集積化し、高性能かつ実装しやすい無線機器基盤を実現する。 SoC:System on Chip, ASIC:Application Specific Integrated Circuit 高効率PA・広帯域ADC-DAC 高周波・広帯域でも電力効率と信号品質を両立し、高性能無線機の成立条件を実現する。 PA:Power Amplifier ADC/DAC:Analog-to-Digital Converter/Digital-to-Analog Converter サブTHz/THzデバイス 超高速・高密度通信に必要な周波数帯を扱い、将来の大容量通信基盤を実現する。 RF・実装統合技術 高周波・多バンド化を量産可能な形で成立させる技術 マルチバンドRFFE 複数の周波数帯や方式を柔軟に扱い、多様な通信規格に対応できる端末・装置を実現する。 RFFE:RF Front End 先端パッケージ 高周波部品やチップを高密度・低損失で実装し、高性能と量産性を両立する実装基盤を実現する。 材料・供給技術 品質・信頼性、供給安定性を支える技術 低損失基板材料/ABF等 放熱・低損失・信頼性を確保し、高周波・高密度実装を支える部材基盤を実現する。 ABF:Ajinomoto Build-up Film